pecvd鍍膜加熱系統工作原理

 

基本原理是:

 

PECVD技術是在低氣壓下，利用低溫等離子體在工藝腔體的陰極上（即樣品放置的托盤）產生輝光放電，利用輝光放電（或另加發熱體）使樣品升溫到預定的溫度，然后通入適量的工藝氣體，這些氣體經一系列化學反應和等離子體反應，最終在樣品表面形成固態薄膜。

 

光伏鍍膜工作原理

 

一，等離子增強化學氣相沉積，等離子體是物質分子熱運動加劇，相互間的碰撞會導致氣體分子產生電離，物質就會變成自由運動并由相互作用的正離子、電子和中性粒子組成的混合物。

 

?二，據測算，光在硅表面的反射損失率高達35%左右，減反膜可以極高地提高電池片對太陽光的利用率，有助于提高光生電流密度，進而提高轉換效率，同時薄膜中的氫對于電池片表面的鈍化降低了發射結的表面復合速率，減小了暗電流，提升了開路電壓，提高了光電轉換效率；在燒穿工藝中的高溫瞬時退火斷裂了一些Si-H、N-H鍵，游離出來的H進一步加強了對電池的鈍化。由于光伏級硅材料中不可避免的含有大量的雜質和缺陷，導致硅中少子壽命及擴散長度降低，從而導致電池的轉換效率下降，H能與硅中的缺陷或雜質進行反應，從而將禁帶中的能帶轉入價帶或者導帶。

 

三、PECVD原理

 

PECVD 系統是一組利用平行板鍍膜舟和高頻等離子激發器的系列發生器。在低壓和升溫的情況下，等離子發生器直接裝在鍍膜板中間發生反應。所用的活性氣體為硅烷SiH4和氨NH3。這些氣體作用于存儲在硅片上的氮化硅。可以根據改變硅烷對氨氣的比率，來得到不同的折射指數。在沉積工藝中，伴有大量的氫原子和氫離子的產生，使得晶片的氫鈍化性十分良好。

 

在真空、480攝氏度的環境溫度下，通過對石墨舟的導電，使硅片的表面鍍上一層SixNy。3SiH4+4NH3 → Si3N4+12H2